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Fabricante	MICROCHIP TECHNOLOGY
Tipo de módulo semiconductor	transistor MOSFET
Estructura del semiconductor	diodo SiC/transistor
Tensión drenaje-fuente	1,2kV
Corriente del drenaje	584A
Carcasa	SP6C
Topología	medio puente MOSFET + diodos paralelos, termistor NTC
Montaje eléctrico	atornillado, FASTON terminales
Resistencia en estado de transferencia	3,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso	1400A
Poder disipado	2,97kW
Tecnología	SiC
Montaje mecánico	atornillado

MSCSM120AM027CT6AG

Módulo; diodo SiC/transistor; 1,2kV; 584A; SP6C; Idm: 1400A; 2,97kW

Especificación

Transfer Multisort Elektronik Sp. z o.o. es importador de productos de esta marca