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NTGD4167CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-30V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTGD4167CT1G
Símbolo TME:
NTGD4167CT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Clase de transistor
par complementario
Tensión drenaje-fuente
30/-30V
Corriente del drenaje
1,9/-1,4A
Poder disipado
0,9W
Carcasa
TSOP6
Tensión puerta-fuente
±12V
Resistencia en estado de transferencia
90/170mΩ
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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NTGD4167CT1G
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