NTHD3100CT1G

Name: ONSEMI NTHD3100CT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTHD3100CT1G
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-20V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTHD3100CT1G

Símbolo TME:

NTHD3100CT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.60 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.08 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.85 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.85 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.72 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.63 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.55 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.53 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	20/-20V
Corriente del drenaje	3,9/-4,4A
Corriente del drenaje en impulso	12A
Poder disipado	3,1W
Carcasa	ChipFET
Tensión puerta-fuente	±12/±8V
Resistencia en estado de transferencia	115/110mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	7,4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido