NTHD4102PT1G

Name: ONSEMI NTHD4102PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTHD4102PT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -4,1A; Idm: -16A; 2,1W

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTHD4102PT1G

Símbolo TME:

NTHD4102PT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.62 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.94 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.94 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.82 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.82 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.72 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.61 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.61 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.55 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.53 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-4,1A
Corriente del drenaje en impulso	-16A
Poder disipado	2,1W
Carcasa	ChipFET
Tensión puerta-fuente	±8V
Resistencia en estado de transferencia	80mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	7,6nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido