NTJD4105CT1G

Name: ONSEMI NTJD4105CT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTJD4105CT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-8V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTJD4105CT1G

Símbolo TME:

NTJD4105CT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.41 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.41 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.20 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.17 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.17 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.12 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.12 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	20/-8V
Corriente del drenaje	0,63/-0,755A
Poder disipado	0,27W
Carcasa	SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente	±8V, ±12V
Resistencia en estado de transferencia	445/900mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	3/4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD