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NTJD4105CT2G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-8V

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTJD4105CT2G
Símbolo TME:
NTJD4105CT2G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Clase de transistor
par complementario
Tensión drenaje-fuente
20/-8V
Corriente del drenaje
0,46/-0,558A
Poder disipado
0,14W
Carcasa
SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente
±8V, ±12V
Resistencia en estado de transferencia
375/300mΩ
Montaje
SMD
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.1 g
Certificados

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NTJD4105CT2G
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