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NTJD4158CT1G

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-20V

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTJD4158CT1G
Símbolo TME:
NTJD4158CT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N/P-MOSFET
Polarización
unipolar
Clase de transistor
par complementario
Tensión drenaje-fuente
30/-20V
Corriente del drenaje
250/-880mA
Poder disipado
0,27W
Carcasa
SC88
Tensión puerta-fuente
±20/±12V
Resistencia en estado de transferencia
1Ω/215mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
900pC/2,2nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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NTJD4158CT1G
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.31 USD
Precio neto para cantidades a partir de 25 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 25 und - 0.25 USD
Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.22 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.19 USD
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Número de unidades (Multiplicidad: 1)