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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -4,1A | |
Corriente del drenaje en impulso | -20A | |
Poder disipado | 2,3W | |
Carcasa | WDFN6 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,1Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 5,5nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |