NTMD3P03R2G

Name: ONSEMI NTMD3P03R2G
Brand: ONSEMI
SKU: NTMD3P03R2G
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -3,05A; Idm: -12A; 1,25W

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTMD3P03R2G

Símbolo TME:

NTMD3P03R2G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.55 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 1.23 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 1.23 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.08 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.08 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.80 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.80 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.70 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.70 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.64 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.64 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-30V
Corriente del drenaje	-3,05A
Corriente del drenaje en impulso	-12A
Poder disipado	1,25W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	85mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	16nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido