NTMD4N03R2G

Name: ONSEMI NTMD4N03R2G
Brand: ONSEMI
SKU: NTMD4N03R2G
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 4A; Idm: 12A; 2W; SO8

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTMD4N03R2G

Símbolo TME:

NTMD4N03R2G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.96 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.96 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.84 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.60 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.52 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.52 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 2500 und - 0.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 2500 und - 0.35 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	4A
Corriente del drenaje en impulso	12A
Poder disipado	2W
Carcasa	SO8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	60mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	8nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido