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NTMFD5C674NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 42A; Idm: 119A; 18W; DFN8

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTMFD5C674NLT1G
Símbolo TME:
NTMFD5C674NLT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
42A
Corriente del drenaje en impulso
119A
Poder disipado
18W
Carcasa
DFN8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
14,4mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
10nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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NTMFD5C674NLT1G
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