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NTTFD022N10C

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 24A; Idm: 349A; 26W; WQFN12

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NTTFD022N10C
Símbolo TME:
NTTFD022N10C

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
100V
Corriente del drenaje
24A
Corriente del drenaje en impulso
349A
Poder disipado
26W
Carcasa
WQFN12
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
25mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
9nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.001 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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NTTFD022N10C
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Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 2.06 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 2.06 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)