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El productor: ONSEMI
Fabricante | ONSEMI | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 40V | |
Corriente del drenaje | 60A | |
Corriente del drenaje en impulso | 349A | |
Poder disipado | 26W | |
Carcasa | WQFN12 | |
Tensión puerta-fuente | ±20V | |
Resistencia en estado de transferencia | 4,5mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 18nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |