NTZD3152PT1G

Name: ONSEMI NTZD3152PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTZD3152PT1G
Availability: InStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0,43A; 0,25W; SOT563

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTZD3152PT1G

Símbolo TME:

NTZD3152PT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.25 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.22 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.16 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.12 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 4 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-430mA
Poder disipado	0,25W
Carcasa	SOT563
Tensión puerta-fuente	±6V
Resistencia en estado de transferencia	2Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	1,7nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido