NTZD3155CT1G

Name: ONSEMI NTZD3155CT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NTZD3155CT1G
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 20/-20V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NTZD3155CT1G

Símbolo TME:

NTZD3155CT1G

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.15 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.12 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

El producto está disponible hasta fin de existencias

Método de envasado por el fabricanteRulo = 4 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	20/-20V
Corriente del drenaje	0,39/-0,31A
Poder disipado	0,25W
Carcasa	SOT563F
Tensión puerta-fuente	±6V
Resistencia en estado de transferencia	400/500mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	1,5/1,7nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido