NVJD4152PT1G

Name: ONSEMI NVJD4152PT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVJD4152PT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -880mA; 141mW; SC88; ESD

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NVJD4152PT1G

Símbolo TME:

NVJD4152PT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.15 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.15 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.13 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-880mA
Poder disipado	141mW
Carcasa	SC88
Tensión puerta-fuente	±12V
Resistencia en estado de transferencia	0,26Ω
Montaje	SMD
Carga de puerta	2,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD