NVJD4158CT1G

Name: ONSEMI NVJD4158CT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVJD4158CT1G
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; par complementario; 30/-20V

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NVJD4158CT1G

Símbolo TME:

NVJD4158CT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.19 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.16 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.16 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.12 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Clase de transistor	par complementario
Tensión drenaje-fuente	30/-20V
Corriente del drenaje	250/-880mA
Poder disipado	0,27W
Carcasa	SC88
Tensión puerta-fuente	±20/±12V
Resistencia en estado de transferencia	1Ω/215mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	900pC/2,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido