NVJD5121NT1G

Name: ONSEMI NVJD5121NT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVJD5121NT1G
Availability: InStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0,212A; 0,25W

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:

NVJD5121NT1G

Símbolo TME:

NVJD5121NT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.19 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.10 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.10 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.09 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.09 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.09 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60V
Corriente del drenaje	0,212A
Poder disipado	0,25W
Carcasa	SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	1,6Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido