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NVMFD5C650NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 111A; Idm: 502A; 62W; DFN8

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NVMFD5C650NLT1G
Símbolo TME:
NVMFD5C650NLT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
60V
Corriente del drenaje
111A
Corriente del drenaje en impulso
502A
Poder disipado
62W
Carcasa
DFN8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
4,2mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
37nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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NVMFD5C650NLT1G
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