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NVMFD6H846NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 31A; Idm: 114A; 17W; DFN8

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NVMFD6H846NLT1G
Símbolo TME:
NVMFD6H846NLT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
80V
Corriente del drenaje
31A
Corriente del drenaje en impulso
114A
Poder disipado
17W
Carcasa
DFN8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
15mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
17nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
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NVMFD6H846NLT1G
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