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NVMFD6H852NLT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 80V; 25A; Idm: 98A; 19W; DFN8

Familia de productos

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NVMFD6H852NLT1G
Símbolo TME:
NVMFD6H852NLT1G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de transistor
N-MOSFET x2
Polarización
unipolar
Tensión drenaje-fuente
80V
Corriente del drenaje
25A
Corriente del drenaje en impulso
98A
Poder disipado
19W
Carcasa
DFN8
Tensión puerta-fuente
±20V
Resistencia en estado de transferencia
25,5mΩ
Montaje
SMD
Carga de puerta
10nC
Clase de empaquetado
bobina, cinta
Clase de canal
enriquecido
Peso bruto0.01 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal ONSEMI,
*
NVMFD6H852NLT1G
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