Name: ONSEMI NVTJD4001NT1G
Brand: ONSEMI
SKU: NVTJD4001NT1G
Availability: InStock

NVTJD4001NT1G

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.40 USD

Precio neto para cantidades a partir de 5 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 5 und - 0.32 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.21 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.21 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.18 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.14 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.13 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.13 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1500 und - 0.12 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1500 und - 0.12 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.11 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ONSEMI
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	0,18A
Poder disipado	0,272W
Carcasa	SC70-6, SC88, SOT363
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	1,5Ω
Montaje	SMD
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido

NVTJD4001NT1G

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 0,18A; 0,272W