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NVVR26A120M1WSB

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 400A; AHPM5-CDE; 1kW; SiC

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NVVR26A120M1WSB
Símbolo TME:
NVVR26A120M1WSB

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
400A
Carcasa
AHPM5-CDE
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
atornillado, THT
Resistencia en estado de transferencia
4,6mΩ
Poder disipado
1kW
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-10...25V
Clase de empaquetado
tubo
Peso bruto100 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules ONSEMI,
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NVVR26A120M1WSB
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Precio neto para cantidades a partir de 6 und - 519.48 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6 und - 519.48 USD
Número de unidades (Multiplicidad: 6)