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NXH004P120M3F2PTNG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH004P120M3F2PTNG
Símbolo TME:
NXH004P120M3F2PTNG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
338A
Carcasa
PIM36
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
7,5mΩ
Corriente del drenaje en impulso
676A
Poder disipado
1098W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-10...22V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules ONSEMI,
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NXH004P120M3F2PTNG
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