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NXH006P120M3F2PTHG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH006P120M3F2PTHG
Símbolo TME:
NXH006P120M3F2PTHG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
191A
Carcasa
PIM36
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
14,6mΩ
Corriente del drenaje en impulso
382A
Poder disipado
556W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-10...22V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH006P120M3F2PTHG
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