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NXH008P120M3F1PTG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 145A; PIM18; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH008P120M3F1PTG
Símbolo TME:
NXH008P120M3F1PTG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
145A
Carcasa
PIM18
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
18,1mΩ
Corriente del drenaje en impulso
436A
Poder disipado
382W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-10...22V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
Consulta otros productos en esta categoría: Transistor modules ONSEMI,
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NXH008P120M3F1PTG
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