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NXH020P120MNF1PG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH020P120MNF1PG
Símbolo TME:
NXH020P120MNF1PG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
51A
Carcasa
PIM18
Topología
medio puente MOSFET
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
31mΩ
Corriente del drenaje en impulso
102A
Poder disipado
211W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-15...25V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH020P120MNF1PG
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Precio neto para cantidades a partir de 28 und - 128.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 28 und - 128.60 USD
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