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NXH040F120MNF1PG

Módulo; transistor/transistor; 1,2kV; 30A; PIM22; Press-in PCB

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH040F120MNF1PG
Símbolo TME:
NXH040F120MNF1PG

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
transistor MOSFET
Estructura del semiconductor
transistor/transistor
Tensión drenaje-fuente
1,2kV
Corriente del drenaje
30A
Carcasa
PIM22
Topología
puente H
Montaje eléctrico
Press-in PCB
Resistencia en estado de transferencia
61mΩ
Corriente del drenaje en impulso
60A
Poder disipado
113W
Tecnología
SiC
Tensión puerta-fuente
-15...25V
Clase de empaquetado
bandeja
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH040F120MNF1PG
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Precio neto para cantidades a partir de 28 und - 89.14 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 28 und - 89.14 USD
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