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Fabricante	ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor	IGBT
Estructura del semiconductor	diodo/transistor
Topología	medio puente IGBT, termistor NTC
Tensión de retorno máx.	1,2kV
Corriente de colector	800A
Carcasa	PIM11
Uso	inversor, para UPS
Tensión entrada - emisor	±20V
Corriente de colector en impulso	1,6kA
Tecnología	SiC
Montaje mecánico	atornillado

NXH800H120L7QDSG

Módulo: IGBT; diodo/transistor; medio puente IGBT,termistor NTC

Especificación