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NXH80T120L2Q0S2G

Módulo: IGBT; diodo/transistor; TNPC inversor de 3 niveles; SiC

El productor: ONSEMI

Denominación de fabricante:
NXH80T120L2Q0S2G
Símbolo TME:
NXH80T120L2Q0S2G

Especificación

Fabricante
ONSEMI
Tipo de módulo semiconductor
IGBT
Estructura del semiconductor
diodo/transistor
Topología
termistor NTC, TNPC inversor de 3 niveles
Tensión de retorno máx.
1,2kV
Corriente de colector
80A
Uso
inversor, para UPS
Tensión entrada - emisor
±20V
Tecnología
SiC
Montaje mecánico
atornillado
Peso bruto100 g
Certificados
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NXH80T120L2Q0S2G
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