NXPSC08650D6J
Diodo: rectificador de barrera Schottky; DPAK; SiC; SMD; 650V; 8A
El productor: WeEn Semiconductors
Denominación de fabricante:
NXPSC08650D6J
Símbolo TME:
NXPSC08650D6J
Especificación
Fabricante | WeEn Semiconductors | |
Tipo de diodo | rectificador de barrera Schottky | |
Carcasa | DPAK | |
Tecnología | SiC | |
Montaje | SMD | |
Tensión de retorno máx. | 650V | |
Corriente conductiva | 8A | |
Estructura del semiconductor | diodo individual | |
Corriente conductiva máx. | 1,7V | |
Corriente en impulso max. | 48A | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta |
Peso bruto1 g
Certificados
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* NXPSC08650D6JNúmero de unidades (Multiplicidad: 2 500)
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