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Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 2,6A | |
Corriente del drenaje en impulso | 16A | |
Carcasa | WLCSP6 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 71mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 13nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Estructura del semiconductor | drenaje conjunto | |
Versión | ESD |