PMCXB1000UEZ
Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 30/-30V; 590/-410mA
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMCXB1000UEZ
Símbolo TME:
PMCXB1000UEZ
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30/-30V | |
Corriente del drenaje | 590/-410mA | |
Corriente del drenaje en impulso | -1,7...2,3A | |
Carcasa | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tensión puerta-fuente | ±8/±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 670mΩ/1,4Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 1,05/1,2nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMCXB1000UEZNúmero de unidades (Multiplicidad: 5 000)
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