PMCXB900UEZ
Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMCXB900UEZ
Símbolo TME:
PMCXB900UEZ
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20/-20V | |
Corriente del drenaje | 400/-300mA | |
Corriente del drenaje en impulso | -2...2,5A | |
Carcasa | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tensión puerta-fuente | ±8/±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 1/2,1Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 700pC/2,1nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMCXB900UEZNúmero de unidades (Multiplicidad: 5 000)
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