PMDPB30XNZ
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 20V; 2,6A; Idm: 12A
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDPB30XNZ
Símbolo TME:
PMDPB30XNZ
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20V | |
Corriente del drenaje | 2,6A | |
Corriente del drenaje en impulso | 12A | |
Carcasa | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 69mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 21,7nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMDPB30XNZNúmero de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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