PMDPB56XNEAX
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 2A; Idm: 12A; ESD
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDPB56XNEAX
Símbolo TME:
PMDPB56XNEAX
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 2A | |
Corriente del drenaje en impulso | 12A | |
Carcasa | DFN2020D-6, SOT1118D | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 121mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 5nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMDPB56XNEAXNúmero de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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