PMDPB70XP,115
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -1,9A; Idm: -11,6A
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDPB70XP,115
Símbolo TME:
PMDPB70XP.115
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -1,9A | |
Corriente del drenaje en impulso | -11,6A | |
Carcasa | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 137mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 7,8nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMDPB70XP,115Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
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