PMDPB80XP,115
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -20V; -1,7A; Idm: -11A
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDPB80XP,115
Símbolo TME:
PMDPB80XP.115
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -20V | |
Corriente del drenaje | -1,7A | |
Corriente del drenaje en impulso | -11A | |
Carcasa | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 148mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 8,6nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |
Peso bruto0.1 g
Certificados
VEA EL VIDEO
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal NEXPERIA,
* PMDPB80XP,115Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)
0 en stock en TME
Producto a pedido especial