PMDPB95XNE2X
Transistor: N-MOSFET x2; Trench; unipolar; 30V; 1,7A; Idm: 11A; ESD
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDPB95XNE2X
Símbolo TME:
PMDPB95XNE2X
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 30V | |
Corriente del drenaje | 1,7A | |
Corriente del drenaje en impulso | 11A | |
Carcasa | DFN2020-6, HUSON6, SOT1118 | |
Tensión puerta-fuente | ±12V | |
Resistencia en estado de transferencia | 0,17Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 4,5nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
VEA EL VIDEO
Consulta otros productos en esta categoría: Transistores multicanal NEXPERIA,
* PMDPB95XNE2XNúmero de unidades (Multiplicidad: 3 000)
0 en stock en TME
Producto a pedido especial