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Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | N/P-MOSFET | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | 20/-20V | |
Corriente del drenaje | 500/-350mA | |
Corriente del drenaje en impulso | -2,2...3,2A | |
Poder disipado | 0,5W | |
Carcasa | SOT666 | |
Tensión puerta-fuente | ±8/±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 610mΩ/1,4Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 0,68/1,14nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido |