PMDXB1200UPEZ
Transistor: P-MOSFET x2; Trench; unipolar; -30V; -260mA; Idm: -1,7A
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMDXB1200UPEZ
Símbolo TME:
PMDXB1200UPEZ
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | P-MOSFET x2 | |
Tecnología | Trench | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -0,26A | |
Corriente del drenaje en impulso | -1,7A | |
Carcasa | DFN1010B-6, SOT1216 | |
Tensión puerta-fuente | ±8V | |
Resistencia en estado de transferencia | 2,4Ω | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 1,2nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.1 g
Certificados
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* PMDXB1200UPEZNúmero de unidades (Multiplicidad: 5 000)
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