PMV35EPER
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -2,7A; Idm: -17A; ESD
El productor: NEXPERIA
Denominación de fabricante:
PMV35EPER
Símbolo TME:
PMV35EPER
Especificación
Fabricante | NEXPERIA | |
Tipo de transistor | P-MOSFET | |
Polarización | unipolar | |
Tensión drenaje-fuente | -30V | |
Corriente del drenaje | -2,7A | |
Corriente del drenaje en impulso | -17A | |
Carcasa | SOT23, TO236AB | |
Resistencia en estado de transferencia | 67mΩ | |
Montaje | SMD | |
Carga de puerta | 19,2nC | |
Clase de empaquetado | bobina, cinta | |
Clase de canal | enriquecido | |
Propiedades de elementos semiconductores | logic level | |
Versión | ESD |
Peso bruto0.017 g
Certificados
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* PMV35EPERNúmero de unidades (Multiplicidad: 1)
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Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.63 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.63 USD
Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.51 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.51 USD
Producto difícil a conseguir
Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und