QH8JA1TCR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QH8JA1TCR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QH8JA1TCR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -5A; Idm: -18A; 1,5W; TSMT8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QH8JA1TCR

Símbolo TME:

QH8JA1TCR

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.29 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.29 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.28 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.28 USD

Precio neto para cantidades a partir de 15000 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 15000 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 21000 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 21000 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30000 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30000 und - 0.26 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-20V
Corriente del drenaje	-5A
Corriente del drenaje en impulso	-18A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMT8
Tensión puerta-fuente	±10V
Resistencia en estado de transferencia	77mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	10,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido