QH8JB5TCR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QH8JB5TCR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QH8JB5TCR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -40V; -5A; Idm: -20A; 1,5W; TSMT8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QH8JB5TCR

Símbolo TME:

QH8JB5TCR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.87 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.87 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 1.11 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 1.11 USD

Precio neto para cantidades a partir de 50 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 50 und - 0.72 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.62 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.62 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.54 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.54 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.50 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.50 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.47 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.47 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.44 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-40V
Corriente del drenaje	-5A
Corriente del drenaje en impulso	-20A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMT8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	51mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	17,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido