QH8MA3TCR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QH8MA3TCR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QH8MA3TCR
Availability: OutOfStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 30/-30V; 7/-5,5A; Idm: 18A; 2,5W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QH8MA3TCR

Símbolo TME:

QH8MA3TCR

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.27 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.27 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.26 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.26 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.25 USD

Precio neto para cantidades a partir de 15000 und - 0.25 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 15000 und - 0.25 USD

Precio neto para cantidades a partir de 21000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 21000 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 30000 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 30000 und - 0.24 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30/-30V
Corriente del drenaje	7/-5,5A
Corriente del drenaje en impulso	18A
Poder disipado	2,5W
Carcasa	TSMT8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	46/72mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	7,2/10nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido