QS6K1FRATR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS6K1FRATR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS6K1FRATR
Availability: OutOfStock

Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 1A; Idm: 4A; 1,25W; TSMT6

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS6K1FRATR

Símbolo TME:

QS6K1FRATR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 0.53 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 0.53 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.44 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.44 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.30 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.24 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.24 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.22 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.22 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.20 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.20 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.19 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.19 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Cantidad mínima a pedir: 1.
Multiplicidad: 1.

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	30V
Corriente del drenaje	1A
Corriente del drenaje en impulso	4A
Poder disipado	1,25W
Carcasa	TSMT6
Tensión puerta-fuente	±12V
Resistencia en estado de transferencia	364mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	1,7nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido