QS8J13TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J13TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J13TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -5,5A; Idm: -18A; 1,5W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS8J13TR

Símbolo TME:

QS8J13TR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.84 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.84 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.55 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.55 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.43 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.40 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.40 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.35 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.34 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-12V
Corriente del drenaje	-5,5A
Corriente del drenaje en impulso	-18A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMT8
Resistencia en estado de transferencia	58mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	60nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD