QS8J2TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J2TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J2TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -12V; -4A; Idm: -12A; 1,5W; TSMT8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS8J2TR

Símbolo TME:

QS8J2TR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.90 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.90 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.60 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.60 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.47 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.47 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.42 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.42 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.36 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.36 USD

Precio neto para cantidades a partir de 24000 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 24000 und - 0.33 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-12V
Corriente del drenaje	-4A
Corriente del drenaje en impulso	-12A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMT8
Tensión puerta-fuente	±10V
Resistencia en estado de transferencia	132mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	20nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD