QS8J4TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8J4TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8J4TR
Availability: OutOfStock

Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -30V; -4A; Idm: -16A; 1,5W; TSMT8

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS8J4TR

Símbolo TME:

QS8J4TR

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.34 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.34 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.33 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.33 USD

Precio neto para cantidades a partir de 9000 und - 0.32 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 9000 und - 0.32 USD

Precio neto para cantidades a partir de 15000 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 15000 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 21000 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 21000 und - 0.31 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 3 000)

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	P-MOSFET x2
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	-30V
Corriente del drenaje	-4A
Corriente del drenaje en impulso	-16A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMT8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	84mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	8,4nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido
Versión	ESD