QS8M31TR

Name: ROHM SEMICONDUCTOR QS8M31TR
Brand: ROHM SEMICONDUCTOR
SKU: QS8M31TR
Availability: InStock

Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; 60/-60V; 3/-2A; Idm: 4÷6A; 1,5W

El productor: ROHM SEMICONDUCTOR

Denominación de fabricante:

QS8M31TR

Símbolo TME:

QS8M31TR

Precio neto para cantidades a partir de 1 und - 1.03 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1 und - 1.03 USD

Precio neto para cantidades a partir de 10 und - 0.72 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 10 und - 0.72 USD

Precio neto para cantidades a partir de 100 und - 0.49 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 100 und - 0.49 USD

Precio neto para cantidades a partir de 250 und - 0.43 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 250 und - 0.43 USD

Precio neto para cantidades a partir de 500 und - 0.39 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 500 und - 0.39 USD

Precio neto para cantidades a partir de 1000 und - 0.35 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 1000 und - 0.35 USD

Precio neto para cantidades a partir de 3000 und - 0.31 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 3000 und - 0.31 USD

Precio neto para cantidades a partir de 6000 und - 0.30 USDPrecio bruto para cantidades a partir de 6000 und - 0.30 USD

Número de unidades (Multiplicidad: 1)

Método de envasado por el fabricanteRulo = 3 000 und

Fabricante	ROHM SEMICONDUCTOR
Tipo de transistor	N/P-MOSFET
Polarización	unipolar
Tensión drenaje-fuente	60/-60V
Corriente del drenaje	3/-2A
Corriente del drenaje en impulso	4...6A
Poder disipado	1,5W
Carcasa	TSMD8
Tensión puerta-fuente	±20V
Resistencia en estado de transferencia	137/266mΩ
Montaje	SMD
Carga de puerta	4/7,2nC
Clase de empaquetado	bobina, cinta
Clase de canal	enriquecido